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納米摻雜SnO2 的研究及其第一性原理的計算

資料類型：

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關鍵詞：

第一性原理 SnO2 電子結構摻雜

資料大小：

558K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

利用Castap軟件計算了Co以不同比例摻雜SnO2的電子結構，分析了摻雜及摻雜比例對改善SnO2導電性的作用，建立了純SnO2計算模型。計算結果表明：純SnO2是一種包含離子鍵的共價鍵直接禁帶半導體；通過摻雜能夠在一定程度上改變成鍵性質，使其具有金屬鍵性質，從而提高SnO2導電性。其中，摻雜比率為5%的價帶到中間能級寬度最小，摻雜原子與其鄰近原子的電荷重疊區更明顯，系統電子共有化程度最高，費米能級處對電子態密度的貢獻也最大，因此摻雜比率為5%的導電性最好。

作者：

劉志勇，鄭冀，李松林

上傳時間：

2008-09-05 13:37:30

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相關評論 共有3人發表評論

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hahaxinxin 2009-03-03 15:14:10

好很到位

hahaxinxin 2009-03-03 15:11:40

很好很到位

arlygay 2008-11-23 15:23:27

內容不錯，值得參考！

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