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> 退火溫度對(duì)磁控濺射制備的β-FeSi2薄膜的影響
退火溫度對(duì)磁控濺射制備的β-FeSi2薄膜的影響
退火溫度對(duì)磁控濺射制備的β-FeSi2薄膜的影響
資料類型:
PDF文件
關(guān)鍵詞:
鐵硅化物
退火溫度
β-FeSi2薄膜
XRD
SEM
RBS
資料大小:
397K
所屬學(xué)科:
分子表征
來源:
2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡(jiǎn)介:
采用磁控濺射的方法,在高真空條件下,沉積金屬Fe到Si(100)襯底上,然后通過真空退火爐在不同溫度條件下對(duì)樣品進(jìn)行熱處理,直接形成了β-FeSi2薄膜。采用X射線衍射儀(XRD)對(duì)樣品進(jìn)行了晶體結(jié)構(gòu)分析,利用盧瑟福背散射(RBS)對(duì)Fe-Si化合物的形成過程中的Fe原子和Si原子的互擴(kuò)散機(jī)理進(jìn)行了研究,利用掃描電鏡(SEM)對(duì)樣品表面的顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,結(jié)果表明,在900℃條件下退火能夠得到質(zhì)量很好的β-FeSi2薄膜,超過這一溫度β相將開始向α相轉(zhuǎn)化,到1000℃,β-FeSi2全部轉(zhuǎn)化為α-FeSi2。
作者:
梁 艷,謝 泉,曾武賢,張晉敏,楊吟野,肖清泉,任雪勇
上傳時(shí)間:
2008-09-08 14:32:06
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