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HfO2薄膜的制備與光學性能

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關鍵詞：

磁控反應濺射 HfO2薄膜沉積速率光學性能

資料大小：

338K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用射頻磁控反應濺射法，以高純熱壓HfO2陶瓷為靶材，在Si襯底上成功制備出HfO2薄膜。系統研究了工藝參數對薄膜沉積速率的影響規律，并對薄膜的光學性能進行了研究。結果表明，射頻功率對薄膜沉積速率的影響最為明顯，O2/Ar流量比和襯底溫度對沉積速率的作用不明顯。所制備薄膜的折射率較高在近紅外波段趨于1.95，在500～1650nm波段范圍內薄膜幾乎無吸收，透過率較高。

作者：

劉文婷，劉正堂，許寧，鹿芹芹，閆鋒

上傳時間：

2008-09-09 17:01:27

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gutian 2010-03-03 15:59:16

好文章，正用得上

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