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Si(111)襯底上非晶態GaN薄膜的晶化過程

資料類型：

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關鍵詞：

非晶GaN 多晶GaN 氨氣 Ga

資料大小：

274K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用磁控濺射法在Si（111）襯底上直接淀積GaN薄膜。通過X射線衍射譜（XRD）、X光電子能譜（XPS）和掃描電子顯微鏡（SEM）研究GaN薄膜由非晶態向多晶態的轉化過程。實驗結果表明：（1）在900℃氮氣氣氛中退火，非晶態GaN保持不變；（2）在900℃氨氣氣氛中退火，雖然非晶態GaN轉化為多晶態GaN，但卻出現中間相金屬Ga；（3）在非晶態GaN向多晶態GaN轉化過程中，GaN晶粒將逐漸增大。

作者：

肖洪地，馬洪磊，劉蓉，馬瑾，林兆軍

上傳時間：

2008-09-10 13:40:54

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