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PECVD法制備微晶硅薄膜的研究

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對等離子體增強化學氣相沉積技術（PECVD）制備的微晶硅（μc-Si）薄膜的電導率、光學帶隙和晶化率隨溫度和功率的變化規律進行了研究。從拉曼譜中可以明顯看出，隨著功率的增大，N型材料的非晶肩逐漸減小，材料的晶化率增大。隨著溫度的升高，P型材料的暗電導率和激活能都是先升高后降低。

作者：

蔡宏琨郝延明張德賢林列

上傳時間：

2007-07-11 16:23:00

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相關評論 共有1人發表評論

chengyuecool 2010-10-24 15:23:35

z這就是我要用的，只是內容有點少

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