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離子束濺射生長非晶Si薄膜的研究

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分子表征

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簡介：

用離子束濺射法制備了不同襯底溫度的非晶硅（a-Si）薄膜，用雙四探針法測量了不同溫度下的電阻率，用喇曼散射及原子力顯微鏡表征了薄膜顯微結構。結果發現隨著襯底溫度的升高，薄膜的電阻率逐漸增大，襯底溫度為室溫的a-Si薄膜質量較好且從其表面形貌可觀察到少量Si晶粒的存在。

作者：

鄧書康陳剛高立剛陳亮俞帆方靜華楊宇

上傳時間：

2007-07-13 14:50:06

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