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離子束濺射生長非晶Si薄膜的研究

資料類型：

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關(guān)鍵詞：

離子束濺射非晶硅喇曼散射電阻率

資料大小：

128K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

用離子束濺射法制備了不同襯底溫度的非晶硅（a-Si）薄膜，用雙四探針法測量了不同溫度下的電阻率，用喇曼散射及原子力顯微鏡表征了薄膜顯微結(jié)構(gòu)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)隨著襯底溫度的升高，薄膜的電阻率逐漸增大，襯底溫度為室溫的a-Si薄膜質(zhì)量較好且從其表面形貌可觀察到少量Si晶粒的存在。

作者：

鄧書康陳剛高立剛陳亮俞帆方靜華楊宇

上傳時(shí)間：

2007-07-13 14:50:06

下載次數(shù)：

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