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II-VI族化合物半導體中的晶體缺陷及其控制  
II-VI族化合物半導體中的晶體缺陷及其控制
資料類型： PDF文件
關鍵詞： II-VI族化合物  碲鋅鎘  晶體生長  退火改性  晶體缺陷  
資料大?。?/td> 197K
所屬學科： 分子表征
來源： 2004年第五屆中國功能材料及其應用學術會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）
簡介：
圍繞作者所在課題組近年來的研究工作，綜述了II－VI族化合物半導體晶體生長過程中的各種結構缺陷及其形成機理。從晶體生長過程和后續的熱處理過程兩個方面指出了晶體缺陷的控制原理和方法。
作者： 介萬奇 李宇杰
上傳時間： 2007-07-18 13:43:32
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相關評論 共有2人發表評論 更多評論
wonlyou    2012-07-31 15:11:05
不錯，有幫助
lijingyan    2009-05-29 10:37:18
很好，謝謝。
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