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II-VI族化合物半導(dǎo)體中的晶體缺陷及其控制

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關(guān)鍵詞：

II-VI族化合物碲鋅鎘晶體生長(zhǎng) 退火改性晶體缺陷

資料大小：

197K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2004年第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡(jiǎn)介：

圍繞作者所在課題組近年來(lái)的研究工作，綜述了II－VI族化合物半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的各種結(jié)構(gòu)缺陷及其形成機(jī)理。從晶體生長(zhǎng)過(guò)程和后續(xù)的熱處理過(guò)程兩個(gè)方面指出了晶體缺陷的控制原理和方法。

作者：

介萬(wàn)奇李宇杰

上傳時(shí)間：

2007-07-18 13:43:32

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更多評(píng)論

wonlyou 2012-07-31 15:11:05

不錯(cuò)，有幫助

lijingyan 2009-05-29 10:37:18

很好，謝謝。

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