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正向電壓及氧化時間對ZAlSi12 微弧氧化陶瓷層特性的影響

資料類型：

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關鍵詞：

ZAlSi12 微弧氧化正向電壓氧化時間

資料大小：

263K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

ZAlSi12因為含Si量高，其微弧氧化過程不同于其它鑄造鋁合金。鑄鋁合金中Si的存在不利于在其表面進行微弧氧化。因此，研究正向電壓、氧化時間對ZAlSi12微弧氧化陶瓷層特性的影響規律，對于獲得良好的陶瓷表面層有著重要的意義。研究了不同的正向電壓及氧化時間對ZAlSi12微弧氧化陶瓷層厚度的影響規律，并對膜層進行了磨損試驗。采用XRD分析陶瓷層的相組成。研究結果顯示，電壓為440V/120V時，陶瓷層性能最佳，膜層厚度達169μm。氧化時間為0～48min時，膜層生長速度快，超過48min后，生長緩慢。因此，適宜的氧化時間為48min。

作者：

呂凱，劉向東，池波，張雅萍，張靜，劉曉麗，烏迪

上傳時間：

2008-05-16 15:36:22

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peter007007 2009-11-12 12:17:12

very good

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