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資料類型: |
PDF文件
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關鍵詞: |
碲銦汞 晶體生長 垂直布里奇曼法 光電半導體材料 近紅外探測器 |
資料大小: |
390K |
所屬學科: |
分子表征 |
來源: |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢) |
簡介: |
研究了一種新型近紅外光電探測材料碲銦汞(MIT)晶體,利用垂直Bridgman法成功生長了MIT單晶,并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光譜分析及Hall測試對晶體的形態結構及光電性能進行了檢測。結果表明:MIT晶體為缺陷閃鋅礦結構,其在中遠紅外波段透過性能較好(>50%),并且隨著波長的增大,透過增強。MIT晶體為n型半導體,室溫電阻率為4.79102Ωcm,載流子遷移率為4.6102cm2V-1s-1,載流子濃度為2.831013cm-3。較低的載流子濃度,有利于降低探測器的噪聲及提高探測器的能量分辨率。 |
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作者: |
王領航,張繼軍,介萬奇,董陽春
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上傳時間: |
2008-09-08 14:25:50 |
下載次數: |
31 |
消耗積分: |
2
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