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CrSi2能帶結構和光學性質的第一性原理研究  
CrSi2能帶結構和光學性質的第一性原理研究
資料類型： PDF文件
關鍵詞： CrSi2  電子結構  光學性質  第一性原理  
資料大小： 447K
所屬學科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
采用基于第一性原理的密度泛函理論（DFT）贗勢平面波方法，對CrSi2的能帶結構、態密度和光學性質進行了理論計算，能帶結構計算表明CrSi2屬于一種間接帶隙半導體，禁帶寬度為0.353eV；其能態密度主要由Cr的3d層電子和Si的3p層電子的能態密度決定；計算了CrSi2的介電函數、反射率、折射率及吸收系數等。經比較，計算結果與已有的實驗數據符合較好。
作者： 周士蕓，謝泉，閆萬珺，陳茜
上傳時間： 2008-09-08 14:28:54
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相關評論 共有3人發表評論 更多評論
lidan0123    2010-01-10 10:54:08
頂一下，呵呵
plxxy    2009-05-24 14:47:24
先頂一下再看
hahaxinxin    2009-03-03 15:13:07
好很到位
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