5G通訊技術的到來,推動了各式先進電子儀器設備和聯網技術的快速發展,如柔性便攜式智能電子、可穿戴電子、衛星通信、飛行器、軍事及醫療設備等,電磁波作為信息傳輸的重要媒介,也在日益快速增長中不斷躍升能級。然而,電磁波技術的飛速發展在為我們生活帶來便利的同時,也不可避免地帶來了電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)。能量和密度不斷增加的EMI輻射不僅會影響高精密電子設備的正常運行,也會對人類健康造成威脅。因此,為了有效減弱電磁輻射(Electromagnetic radiation, EMR)污染,開發新一代高性能電磁干擾屏蔽材料至關重要。
圖5 (a)30PANI/PVDF@PANI納米纖維膜的EMI屏蔽機制。(b)本工作與PANI基復合材料的SE/t值的比較。(c)1.5m×0.6m 30PANI/PVDF@PANI納米纖維膜的照片。
PANI是一種低成本且電導率可控的介電材料,具有合成方便、熱穩定性和化學穩定性優異、微波損耗等優點,被認為是最有前景的功能高分子之一。當入射電磁波到達30PANI/PVDF@PANI復合膜的表面時,由于其殼層具有優異的導電性,導電的可移動電子與電磁波相互作用,PANI殼層和PANI/PVDF核層界面的電特性差異引起了阻抗失配,導致大多數電磁波被反射回來,其余部分進入復合膜內部。傳入的電磁波與核層PANI中的大量電子相互作用,PANI自由電子發生移動并形成電流來損耗其能量。此外,纖維的分層結構也會導致電磁波在復合膜內部多次反射,電磁波的傳輸路徑得到了擴展,最終在復合膜內外部多次反射直到完全衰減。穩定的核-殼異質結構為反射和吸收微波提供了更多的界面。30PANI/PVDF@PANI復合膜在厚度僅為1.2mm的情況下,實現了高性能EMI屏蔽性能(44.7dB)。此外,這種獨特的結構賦予PANI/PVDF@PANI復合膜顯著的SE/t值372.5 dB? cm-1。隨著靜電紡絲技術的工業化發展,PANI/PVDF@PANI復合膜可實現規模化生產,滿足市場對輕薄柔軟電磁干擾屏蔽材料的需求。
原文鏈接: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c05021
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