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Mg2Si 電子結構及光學性質的研究

資料類型：

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關鍵詞：

Mg2Si 第一性原理電子結構光學性質

資料大小：

425K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用基于第一性原理的贗勢平面波方法系統地計算了Mg2Si基態的電子結構、態密度和光學性質。計算結果表明Mg2Si屬于間接帶隙半導體，禁帶寬度為0.2994eV；其價帶主要由Si的3p以及Mg的3s、3p態電子構成，導帶主要由Mg的3s、3p以及Si的3p態電子構成；靜態介電常數1(0)＝18.89；折射率0n＝4.3460；吸收系數最大峰值為356474.5cm-1；并利用計算的能帶結構和態密度分析了Mg2Si的介電函數、折射率、反射率、吸收系數、光電導率和能量損失函數的計算結果，為Mg2Si的設計與應用提供了理論依據。

作者：

陳茜，謝泉，閆萬珺，楊創華，趙鳳娟

上傳時間：

2008-05-16 14:53:32

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hahaxinxin 2009-03-03 15:15:34

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