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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
ZnO納米線 光刻 圖形化生長 氣相輸運 水熱合成 |
| 資料大小： |
267K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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采用光刻和射頻磁控濺射技術在Si襯底上制備了圖形化的ZnO種子層薄膜。分別采用氣相輸運和水熱合成法，制備了最小單元為30μm的圖形化的ZnO納米線陣列。X射線衍射(XRD)分析顯示單晶納米線陣列具有高度的c軸[001]擇優(yōu)取向生長性質。從掃描電子顯微鏡(SEM)照片看出，陣列圖形完整清晰，邊緣整齊。納米線陣列在室溫下光致發(fā)光(PL)譜線中在380nm左右具有強烈的紫外發(fā)射峰，可見光區(qū)域發(fā)射峰得到了抑制，證明ZnO納米線陣列氧空位缺陷少，晶體質量高。 |
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| 作者： |
艾磊，方國家，劉逆霜，王明軍，趙興中
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| 上傳時間： |
2008-09-08 14:02:38 |
| 下載次數(shù)： |
35 |
| 消耗積分： |
2
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