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應(yīng)用于微電子機(jī)械系統(tǒng)中多孔硅的研究  
應(yīng)用于微電子機(jī)械系統(tǒng)中多孔硅的研究
資料類(lèi)型: PDF文件
關(guān)鍵詞: 多孔硅  微電子機(jī)械系統(tǒng)  腐蝕速率  孔隙率  殘余應(yīng)力  
資料大小: 172K
所屬學(xué)科: 分子表征
來(lái)源: 2004年第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議(9.12-9.16,北京.秦皇島)
簡(jiǎn)介:
針對(duì)多孔硅在MEMS中作為犧牲層和絕熱層的應(yīng)用,主要研究了電化學(xué)腐蝕法制備多孔硅的實(shí)驗(yàn)條件與多孔硅深度及其孔隙率間的關(guān)系,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)電化學(xué)腐蝕法制備多孔硅的腐蝕速率在腐蝕前期階段基本是一定值(電流密度為80mA/cm2時(shí)為1.3µm/min,電流密度為40mA/cm2時(shí)為0.4µm/min),但到腐蝕后期階段隨著孔深的增加有所下降。同時(shí)發(fā)現(xiàn)對(duì)于不同的腐蝕電流密度,多孔硅的孔隙率都有隨腐蝕時(shí)間的延長(zhǎng)先增加后降低的趨勢(shì),用Beale模型可以很好的解釋這一現(xiàn)象。最后,針對(duì)多孔硅在制備后易發(fā)生龜裂的現(xiàn)象,用拉曼光譜分析了多孔硅的內(nèi)部應(yīng)力情況,結(jié)果表明隨多孔硅孔隙率的上升其內(nèi)部殘余應(yīng)力有增加的趨勢(shì)。
作者: 崔夢(mèng) 胡明 雷振坤 竇雁威 田斌
上傳時(shí)間: 2007-07-12 12:18:01
下載次數(shù): 616
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