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> 圓柱靶濺射芯片銅導(dǎo)線中硅盤銅線的均勻度和對(duì)稱性
圓柱靶濺射芯片銅導(dǎo)線中硅盤銅線的均勻度和對(duì)稱性
圓柱靶濺射芯片銅導(dǎo)線中硅盤銅線的均勻度和對(duì)稱性
資料類型:
PDF文件
關(guān)鍵詞:
物理氣相沉積
濺射
銅互連
角系數(shù)
資料大小:
283K
所屬學(xué)科:
分子表征
來源:
2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡介:
研究開發(fā)了一個(gè)角系數(shù)模型來模擬低氣壓下圓柱靶濺射沉積銅連線。研究包含靶上不同部位對(duì)銅連線的均勻性和對(duì)稱性的影響,也包含圓柱靶濺射中的再沉積。研究發(fā)現(xiàn)下段柱筒的沉積量大,銅膜在硅盤邊緣部分的溝槽中對(duì)稱性好于上段,但硅盤上銅膜的不均勻性也最嚴(yán)重。當(dāng)上段柱筒距硅盤距離足夠遠(yuǎn)時(shí),上段柱筒的角系數(shù)趨勢起到部分抵消中段和下段角系數(shù)的不均勻趨勢,對(duì)沉積銅在硅盤上的均勻性起幫助作用。圓柱頂端和柱筒上段需要提高濺射強(qiáng)度以降低再沉積的不良影響。但是提高柱筒上段的濺射強(qiáng)度會(huì)對(duì)硅盤邊緣線路溝槽中的銅膜的對(duì)稱性產(chǎn)生不良影響。
作者:
楊林,呂俊青
上傳時(shí)間:
2008-05-16 15:51:21
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