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圓柱靶濺射芯片銅導線中硅盤銅線的均勻度和對稱性

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關鍵詞：

物理氣相沉積濺射銅互連角系數

資料大小：

283K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

研究開發了一個角系數模型來模擬低氣壓下圓柱靶濺射沉積銅連線。研究包含靶上不同部位對銅連線的均勻性和對稱性的影響，也包含圓柱靶濺射中的再沉積。研究發現下段柱筒的沉積量大，銅膜在硅盤邊緣部分的溝槽中對稱性好于上段，但硅盤上銅膜的不均勻性也最嚴重。當上段柱筒距硅盤距離足夠遠時，上段柱筒的角系數趨勢起到部分抵消中段和下段角系數的不均勻趨勢，對沉積銅在硅盤上的均勻性起幫助作用。圓柱頂端和柱筒上段需要提高濺射強度以降低再沉積的不良影響。但是提高柱筒上段的濺射強度會對硅盤邊緣線路溝槽中的銅膜的對稱性產生不良影響。

作者：

楊林，呂俊青

上傳時間：

2008-05-16 15:51:21

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