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總劑量輻射下的SOI 晶體管中的陷阱電荷分布

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通過對載流子擴散機理的研究，由數學公式的推導，得到陷阱電荷分布隨電場變化的函數關系。將由medici模擬得到的3種偏置下SOI的NMOS管埋氧層中的電場分布的數據代入方程式，得到總劑量輻射下的SOI晶體管中的陷阱電荷的分布。得到的數據較好地解釋了實驗結果。

作者：

王茹，張正選，俞文杰，賀威，田浩，陳明

上傳時間：

2008-08-27 16:27:01

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