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CdIn2O4薄膜性質(zhì)及其應(yīng)用研究

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關(guān)鍵詞：

CdIn2O4薄膜退火處理電阻率氣敏性

資料大小：

113K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

利用射頻反應(yīng)濺射法在玻璃襯底上在Ar和O2氣氛中從Cd-In合金靶上制備出了CdIn2O4薄膜。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明退火處理對CdIn2O4薄膜的光電性質(zhì)有重要的影響。退火處理進(jìn)一步降低了CdIn2O4膜的電阻率，在可見光區(qū)域內(nèi)該膜的最高光透射率超過了90%。研究還發(fā)現(xiàn)CdIn2O4膜電阻在CO氣氛中十分敏感的發(fā)生變化，并且提高溫度和在膜上生長不連續(xù)的Pt粒子可進(jìn)一步增強(qiáng)氣敏特性。實(shí)驗(yàn)研究還表明CdIn2O4膜氣敏傳感器響應(yīng)時(shí)間比通用的氣敏元件快得多。

作者：

張津

上傳時(shí)間：

2007-07-13 14:14:51

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