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CdIn2O4薄膜性質及其應用研究  
CdIn2O4薄膜性質及其應用研究
資料類型: PDF文件
關鍵詞: CdIn2O4薄膜  退火處理  電阻率  氣敏性  
資料大?。?/td> 113K
所屬學科: 分子表征
來源: 2004年第五屆中國功能材料及其應用學術會議(9.12-9.16,北京.秦皇島)
簡介:
利用射頻反應濺射法在玻璃襯底上在Ar和O2氣氛中從Cd-In合金靶上制備出了CdIn2O4薄膜。實驗結果表明退火處理對CdIn2O4薄膜的光電性質有重要的影響。退火處理進一步降低了CdIn2O4膜的電阻率,在可見光區域內該膜的最高光透射率超過了90%。研究還發現CdIn2O4膜電阻在CO氣氛中十分敏感的發生變化,并且提高溫度和在膜上生長不連續的Pt粒子可進一步增強氣敏特性。實驗研究還表明CdIn2O4膜氣敏傳感器響應時間比通用的氣敏元件快得多。
作者: 張津
上傳時間: 2007-07-13 14:14:51
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