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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
氮化硼薄膜 表面熱處理 場發射 發射電流 閾值電場 |
| 資料大小： |
112K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2004年第五屆中國功能材料及其應用學術會議（9.12-9.16，北京.秦皇島） |
| 簡介： |
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用RF磁控濺射的方法在最佳沉積條件下在Si（100）基底上沉積了納米氮化硼薄膜，然后對薄膜在真空度低于510-4Pa、溫度分別為800℃和1000℃條件下進行了表面熱處理，分別用紅外光譜、原子力顯微鏡以及不同退火溫度的場發射試驗對薄膜進行了研究，結果表明表面熱處理對BN薄膜的表面形貌沒有明顯影響，樣品場發射特性的變化可能與表面負電子親和勢有關，未進行熱處理的樣品閾值電場較低，可能歸因于表面負電子親和勢效應，閾值電場為8V/&micro；m，發射電流為80&micro；A，熱處理溫度為800℃時，負電子親和勢仍然存在，直到熱處理溫度達到1000℃時，表面負電子親和勢才消失。 |
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| 作者： |
李衛青 顧廣瑞 李英愛 何志 馮偉 劉麗華 趙春紅 趙永年
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| 上傳時間： |
2007-07-11 14:07:13 |
| 下載次數： |
616 |
| 消耗積分： |
2
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