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表面熱處理對(duì)氮化硼薄膜場(chǎng)發(fā)射特性的影響

資料類型：

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關(guān)鍵詞：

氮化硼薄膜表面熱處理場(chǎng)發(fā)射發(fā)射電流閾值電場(chǎng)

資料大小：

112K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2004年第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡(jiǎn)介：

用RF磁控濺射的方法在最佳沉積條件下在Si（100）基底上沉積了納米氮化硼薄膜，然后對(duì)薄膜在真空度低于510-4Pa、溫度分別為800℃和1000℃條件下進(jìn)行了表面熱處理，分別用紅外光譜、原子力顯微鏡以及不同退火溫度的場(chǎng)發(fā)射試驗(yàn)對(duì)薄膜進(jìn)行了研究，結(jié)果表明表面熱處理對(duì)BN薄膜的表面形貌沒(méi)有明顯影響，樣品場(chǎng)發(fā)射特性的變化可能與表面負(fù)電子親和勢(shì)有關(guān)，未進(jìn)行熱處理的樣品閾值電場(chǎng)較低，可能歸因于表面負(fù)電子親和勢(shì)效應(yīng)，閾值電場(chǎng)為8V/&micro；m，發(fā)射電流為80&micro；A，熱處理溫度為800℃時(shí)，負(fù)電子親和勢(shì)仍然存在，直到熱處理溫度達(dá)到1000℃時(shí)，表面負(fù)電子親和勢(shì)才消失。

作者：

李衛(wèi)青顧廣瑞李英愛(ài) 何志馮偉劉麗華趙春紅趙永年

上傳時(shí)間：

2007-07-11 14:07:13

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